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中国数控维修备件网 | FUJI IGBT单管资料
FUJI IGBT单管 资料
富士电机UPS专用600V IGBT单管
型号 封装 VCES
Volts
IC
TC=25°C
cont.
Amps.
IC
TC=100°C
cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBK30D-060S
TO247 600 50 30 150 2.9
1MBK50D-060S
TO247 600 75 50 230 2.9
1MBH50D-060S
TO-3PL 600 65 50 200 2.9
1MBH75D-060S
TO-3PL 600 83 75 310 2.9
 
富士电机IGBT单管
型号 封装 VCES
Volts
IC
TC=25°C
cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH60-100
TO-3PL 1,000 60 260 3.2
1MBH60D-100*
TO-3PL 1,000 60 260 3.2
 
富士电机增强型IGBT单管
型号 封装 VCES
Volts
IC
TC=25°C
cont.
Amps.
IC
TC=100°C
cont.
Amps.
PC
@
Watts
VCEsat
IC
Tj=25°C
Max.(V)
1MBH50-060
TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH50D-060*
TO-3PL 600 82 50 310 3.0
1MBH15-120
TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH15D-120*
TO-3PL 1,200 26 15 245 3.5
1MBH25-120
TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
1MBH25D-120*
TO-3PL 1,200 38 25 310 3.5
*注:型号中“D”表示带反向二极管。
     增强型中的反向二极管的额定电流与IGBT标称一致,安全区为矩形。

 

 


 
 
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